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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：104 A
Rds上漏源导通电阻：9.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5 V
Qg-血浆甲醛：77 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：380 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：97 S
下降时间：39 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：73 ns
MOSFET工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：41 ns
典型中断时间：18 ns
零件号别名：IRFB4115PBF SP001565902
单位重量：6 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的Gate，雪崩和动态dv / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
•符合RoHS，无卤素
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
104 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
74 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
420 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
380 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
2.5 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery CT |
18 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lb"in (1.1N"m) |
|